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TVS器件的主要電參數(shù)
發(fā)布時(shí)間:2020-01-28 17:14   瀏覽次數(shù):

TVS器件的主要電參數(shù):
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1、擊穿電壓V(BR)
器件在發(fā)生擊穿的區(qū)域內(nèi),在規(guī)定的試驗(yàn)電流I(BR)下,測(cè)得器件兩端的電壓稱為擊穿電壓,在此區(qū)域內(nèi),二極管成為低阻抗的通路。

2、最大反向脈沖峰值電流IPP
在反向工作時(shí),在規(guī)定的脈沖條件下,器件允許通過(guò)的最大脈沖峰值電流。IPP與最大箝位電壓VC(MAX)的乘積,就是瞬態(tài)脈沖功率的最大值。
使用時(shí)應(yīng)正確選取TVS,使額定瞬態(tài)脈沖功率PPR大于被保護(hù)器件或線路可能出現(xiàn)的最大瞬態(tài)浪涌功率。
當(dāng)瞬時(shí)脈沖峰值電流出現(xiàn)時(shí),TVS被擊穿,并由擊穿電壓值上升至最大箝位電壓值,隨著脈沖電流呈指數(shù)下降,箝位電壓亦下降,恢復(fù)到原來(lái)狀態(tài)。因此,TVS能抑制可能出現(xiàn)的脈沖功率的沖擊,從而有效地保護(hù)電子線路。

 


峰值電流波形
A、正弦半波 B、矩形波C 、標(biāo)準(zhǔn)波(指數(shù)波形) D、三角波 TVS峰值電流的試驗(yàn)波形采用標(biāo)準(zhǔn)波(指數(shù)波形),由TR/TP決定。
峰值電流上升時(shí)間TR:電流從0.1IPP開始達(dá)到0.9IPP的時(shí)間。
半峰值電流時(shí)間TP:電流從零開始通過(guò)最大峰值后,下降到0.5IPP值的時(shí)間。
下面列出典型試驗(yàn)波形的TR/TP值:
A、EMP波:10ns /1000ns B、閃電波:8μs /20μs C、標(biāo)準(zhǔn)波:10μs /1000μs

3、最大反向工作電壓VRWM(或變位電壓)
器件反向工作時(shí),在規(guī)定的IR下,器件兩端的電壓值稱為最大反向工作電壓VRWM。通常VRWM=(0.8~0.9)V(BR)。在這個(gè)電壓下,器件的功率消耗很小。使用時(shí),應(yīng)使VRWM不低于被保護(hù)器件或線路的正常工作電壓。

4、最大箝位電壓VC(max )
在脈沖峰值電流Ipp 作用下器件兩端的最大電壓值稱為最大箝位電壓。使用時(shí),應(yīng)使VC(max )不高于被保護(hù)器件的最大允許安全電壓。最大箝位電壓與擊穿電壓之比稱為箝為系數(shù)。
即:箝位系數(shù)=VC(max )/V(BR)
一般箝位系數(shù)為1.3左右。

5、反向脈沖峰值功率PPR
TVS的PPR取決于脈沖峰值電流IPP和最大箝位電壓VC(max ),除此以外,還和脈沖波形、脈沖時(shí)間及環(huán)境溫度有關(guān)。
當(dāng)脈沖時(shí)間Tp 一定時(shí),PPR=K1??????K2?VC(max )?Ipp
式中K1為功率系數(shù),K2為功率的溫度系數(shù)。

典型的脈沖持續(xù)時(shí)間tp 為1MS,當(dāng)施加到瞬態(tài)電壓抑制二極管上的脈沖時(shí)間tp 比標(biāo)準(zhǔn)脈沖時(shí)間短時(shí),其脈沖峰值功率將隨tp 的縮短而增加。
TVS的反向脈沖峰值功率PPR與經(jīng)受浪涌的脈沖波形有關(guān),用功率系數(shù)K1表示
E=∫i(t)?V(t)dt
式中:i(t)為脈沖電流波形,V(t) 為箝位電壓波形。

這個(gè)額定能量值在極短的時(shí)間內(nèi)對(duì)TVS是不可重復(fù)施加的。但是,在實(shí)際的應(yīng)用中,浪涌通常是重復(fù)地出現(xiàn),在這種情況下,即使單個(gè)的脈沖能量比TVS器件可承受的脈沖能量要小得多,但若重復(fù)施加,這些單個(gè)的脈沖能量積累起來(lái),在某些情況下,也會(huì)超過(guò)TVS器件可承受的脈沖能量。因此,電路設(shè)計(jì)必須在這點(diǎn)上認(rèn)真考慮和選用TVS器件,使其在規(guī)定的間隔時(shí)間內(nèi),重復(fù)施加脈沖能量的累積不至超過(guò)TVS器件的脈沖能量額定值。

6、電容CPP
TVS的電容由硅片的面積和偏置電壓來(lái)決定,電容在零偏情況下,隨偏置電壓的增加,該電容值呈下降趨勢(shì)。電容的大小會(huì)影響TVS器件的響應(yīng)時(shí)間。

7、漏電流IR
當(dāng)最大反向工作電壓施加到TVS上時(shí),TVS管有一個(gè)漏電流IR,當(dāng)TVS用于高阻抗電路時(shí),這個(gè)漏電流是一個(gè)重要的參數(shù)。

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